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驅(qū)動(dòng)方面，關(guān)注它的動(dòng)態(tài)特性，也就是開(kāi)關(guān)特性；還有它的靜態(tài)特性，就是穩(wěn)態(tài)電平。從靜態(tài)和動(dòng)態(tài)方面出發(fā)，驅(qū)動(dòng)有以下幾點(diǎn)需要特別注意：

其一，穩(wěn)態(tài)電平幅值，你得看一下你使用的開(kāi)關(guān)管，比如mosfet，你設(shè)計(jì)流過(guò)它的電流Id是多少，因?yàn)橄駇osfet這類(lèi)電壓型的開(kāi)關(guān)器件，門(mén)極電壓Vgs和通過(guò)主體漏極電流Id是跨導(dǎo)（g）關(guān)系，這個(gè)跨導(dǎo)就像咱們三極管的電流放大倍數(shù)一個(gè)道理，所以首先滿足Id=Vgs*g也就是你的電平，這里還要注意你的有效Vgs，它是你的實(shí)際電平減去這類(lèi)管子的開(kāi)通閾值（開(kāi)通閾值或門(mén)檻電壓用Vth表示，有效電平=實(shí)際電平—Vth）；

其二，動(dòng)態(tài)峰值電流能力，驅(qū)動(dòng)芯片必須要滿足給門(mén)極充電的能力，尤其是瞬態(tài)的峰值電流，Ipeak=門(mén)極電平/驅(qū)動(dòng)電阻，如果你的單片機(jī)沒(méi)有這個(gè)峰值電流能力，那么我們知道，瞬態(tài)大電流和單片機(jī)驅(qū)動(dòng)口內(nèi)阻乘積就是電壓，這就是驅(qū)動(dòng)能力不足，導(dǎo)致門(mén)極充放電變慢，開(kāi)關(guān)速度異常，還有就是你的單片機(jī)會(huì)發(fā)熱；

其三，開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)功率消耗，我們知道理想的電壓型開(kāi)關(guān)并不需要驅(qū)動(dòng)功率，但是實(shí)際當(dāng)中，像mosfet存在門(mén)極電容（Cgs）和米勒電容（Cgd或Crss），這些電容通過(guò)驅(qū)動(dòng)電阻充放電都是要消耗功率的，所以你的單片機(jī)還得需要一D的驅(qū)動(dòng)功率能力才行，驅(qū)動(dòng)功率P=驅(qū)動(dòng)電壓*工作頻率*電容的電荷量（這里包括了門(mén)極電容和米勒電容總電荷，通常在數(shù)據(jù)手冊(cè)里成為Qg），驅(qū)動(dòng)功率意味著驅(qū)動(dòng)芯片，像單片機(jī)會(huì)產(chǎn)生功耗，也就是發(fā)熱的問(wèn)題。

單片機(jī)可以驅(qū)動(dòng)，后面加三極管推挽的作用就是滿足穩(wěn)態(tài)電平和動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)能力的要求。

你用單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)未嘗不可，但只需要滿足以上靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的需求即可。