晶閘管燒壞的原因有哪些？溫度過高和反向電壓過高
晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為'可控硅'。硅元件的普遍特性是過載能力差，因此在使用過程中經常會發(fā)生燒壞晶閘管的現象，像常見的軟啟動器里面的晶閘管，電動車上的可控硅等。
晶閘管燒壞大部分是由于溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結構特性決定的，因此保證晶閘管在研制、生產過程中的質量應從三方面入手：電特性、熱特性、結構特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產晶閘管時應充分考慮其電應力、熱應力、結構應力。燒壞晶閘管的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的，某一單獨的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們在生產過程中可以充分利用這個特點，就是說如果其中的某個應力達不到要求時可以采取提高其他兩個應力的辦法來彌補。
從晶閘管的各相參數看，經常發(fā)生事故的參數有：電壓、電流、dv／dt、di／dt、漏電、開通時間、關斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數性能的下降或線路問題會造成晶閘管燒損，從表面看來每個參數所造成晶閘管燒損的現象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管就可以判斷出是由哪個參數造成晶閘管燒壞的。
一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管所采取的保護措施失效。
電流燒壞晶閘管通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di／dt所引起的燒壞晶閘管的現象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發(fā)用，目的是當觸發(fā)信號到來時將其放大，然后盡快地將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv／dt其本身是不會燒壞晶閘管的，只是高的dv／dt會使晶閘管誤觸發(fā)導通，其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。
這其中的機理一般的朋友可能不懂，但你身邊的許多電器都與這些晶閘管有關。