軟啟動器發熱原因及解決辦法
軟啟動器發熱是由內部的晶閘管功率損耗、控制電路功率損耗兩部分組成，對于低壓軟起動器，控制電路功率損耗變動不大，一般為數5-10瓦;因此，軟起動器內部的功率損耗主要由晶閘管功率損耗產生。粗略的算，每1KVA的軟起動器容量，其產生的損耗功率為3-5W。
當軟啟動器的容量較大時，由晶閘管功率損耗產生的熱量將使管芯溫度迅速升高，Z后導致晶閘管燒毀，因此，必須采取措施將軟啟動器所產生的熱量充分的散發出去。
由于軟起動內部的損耗主要是由晶閘管產生，而同時，晶閘管的熱容量又比較小，因此，軟起動器本身對溫升的要求取決于晶閘管對溫升的要求。通常晶閘管的結溫要求不得高于120℃，而反映到散熱器上的溫度一般不得高于75℃。
所以必須使用風扇強吹散熱器來控制溫度，這樣能使晶閘管工作在允許的溫度范圍之內，否則晶閘管容易燒壞。
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